型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
F3710

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 % Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)

VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ ID = 57A Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device desig

IRF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed

AnalogPower

General Purpose Packaging Tape

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3M

Nytye®Mounting Platforms

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Heyco

Secondary Side Synchronous Post Regulator

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LINER

凌力尔特

59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR

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KIA

可易亚半导体

F3710产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F3710

  • 功能描述

    汽车连接器 APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C

  • RoHS

  • 制造商

    Amphenol SINE Systems

  • 产品

    Contacts

  • 系列

    ATP

  • 型式

    Female

  • 触点电镀

    Nickel

更新时间:2025-10-29 9:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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TO-263
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