| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
F1010NS | PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=11mohm,Id=85A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRF International Rectifier |  |   |
1010PressureGauge FEATURES Solid-frontcasedesignforsafety WideselectionofBourdontubematerialsandpressureranges PLUS!™Performanceoptiontodampenvibration,shockandpulsationeffectstoprovidealiquid-fillperformanceinadrygauge | ASHCROFTAshcroft, Inc. 雅斯科雅斯科仪器仪表（嘉兴）有限公司 |  | | |
DeadBlowNylonHammers Die-castonepieceheadandhandleofaluminiumalloy.Fittedwithshockabsorbentrubbergrip.Screw-infacesofspecialnylon.Thehollowheadispartiallyfilledwithshotwhichaddstotheweightandpreventsre-bound.Allowingheavyandeffectiveblowswithmaximumimpactcontrol. | THOR THOR communications |  | | |
Voltageratingupto3800V 文件：1.35889 Mbytes Page：5 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 |  | | |
PhaseControlThyristors 文件：1.3645 Mbytes Page：5 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 | | | |
HighFrequency,HighCurrentPowerInductors 文件：327.3 Kbytes Page：3 Pages | COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-263 |
210 |
原装正品,假一罚十! |
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POLYFET |
24+ |
BGA |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
POLYFET |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
FSC |
1844+ |
DIP |
1845 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
FAI |
23+ |
DIP/16/磁 |
7000 |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
|||
FAI |
24+ |
DIP16 |
35 |
||||
F10114DC |
25 |
25 |
|||||
FAI |
22+ |
DIP16 |
5000 |
进口原装!现货库存 |
|||
FAIRCHILD |
新 |
17 |
全新原装 货期两周 |
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