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F0118G

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode(950nm,EnhancedPower)GaAsInfraredEmittingDiode(950nm,EnhancedPower)

Features •Typ.totalradiantpower:24mW@100mAin TOPLED®package. •Chipsize300x300μm2 •Peakwavelength:950nm •VeryhighlyefficientGaAsLED •Goodlinearity(Ie=f[IF])athighcurrents •DCorpulsedoperationsarepossible •Highreliability •Highpulsehandlingcapa

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艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体

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更新时间:2024-4-30 18:55:00
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