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EFC060B中文资料

厂家型号

EFC060B

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功能描述

Low Distortion GaAs Power FET

数据手册

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生产厂商

EXCELICS

EFC060B数据手册规格书PDF详情

Low Distortion GaAs Power FET

• +25.0dBm TYPICAL OUTPUT POWER

• 10.5dB TYPICAL POWER GAIN AT 12GHz

• HIGH BVgd FOR 10V BIAS

• 0.3 X 600 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE

• Si3N4 PASSIVATION

• ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY, LINEARITY AND RELIABILITY

• Idss SORTED IN 10mA PER BIN RANGE

EFC060B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EFC060B

  • 功能描述

    Low Distortion GaAs Power FET

更新时间:2025-12-21 14:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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