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厂家型号	EFA960B
文件大小	32.009Kbytes
页面数量	2页
功能描述	Low Distortion GaAs Power FET
数据手册	下载地址一下载地址二
生产厂商	EXCELICS

Low Distortion GaAs Power FET

• +36.5dBm TYPICAL OUTPUT POWER

• 16.0dB TYPICAL POWER GAIN AT 2GHz

• 0.5 X 9600 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE

• Si3N4 PASSIVATION AND PLATED HEAT SINK

• ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY, LINEARITY AND RELIABILITY

• Idss SORTED IN 160mA PER BIN RANGE

EFA960B供应商...

更新时间：2025-10-5 14:31:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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