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IRF9358中文资料

厂家型号

IRF9358

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6

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

MOSFET DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms

数据手册

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生产厂商

EVVOSEMI

IRF9358数据手册规格书PDF详情

Description

The IRF9358 uses advanced trench technology

and design to provide excellent RDS(ON) with low gate

charge. It can be used in a wide variety of applications.

General Features

VDS = -30V,ID = -11A

RDS(ON) < 18m @ V GS=-10V

RDS(ON) < 27m @ V GS=-4.5V

Application

PWM application

Load switch

IRF9358产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF9358

  • 功能描述

    MOSFET DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 11:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IRF9358TRPBF 价格

参考价格:¥2.8092

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