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AO4832中文资料

厂家型号

AO4832

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8

功能描述

30V Dual N-Channel MOSFET

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

数据手册

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生产厂商

EVVOSEMI

AO4832数据手册规格书PDF详情

General Description

The AO4832 uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) with low gate charge.

This device is suitable for high side switch in SMPS and

general purpose applications.

Product Summary

VDS 30V

ID (at VGS=10V) 10A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 13mW

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 17.5mW

AO4832产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4832

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-5 10:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装现货,随时欢迎询价
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。