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MR2A08AYS35R中文资料

厂家型号

MR2A08AYS35R

文件大小

901.96Kbytes

页面数量

15

功能描述

512K x 8 MRAM Memory

NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

Everspin Technologies Inc.

简称

EVERSPIN

中文名称

Everspin科技官网

LOGO

MR2A08AYS35R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MR2A08AYS35R

  • 功能描述

    NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

  • RoHS

  • 制造商

    Maxim Integrated

  • 数据总线宽度

    8 bit

  • 存储容量

    1024 Kbit

  • 组织

    128 K x 8

  • 接口类型

    Parallel

  • 访问时间

    70 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    4.5 V

  • 工作电流

    85 mA

  • 最大工作温度

    + 70 C

  • 最小工作温度

    0 C

  • 封装/箱体

    EDIP

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-18 15:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EVERSPIN
1950+
44TSOP
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
EVERSPIN
21+
44TSOP
159
原装现货假一赔十
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22+
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28600
只做原装正品现货假一赔十一级代理
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EVERSPIN
21+
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原装保证,实单支持
EVERSPIN
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EVERSPIN
23+
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原厂原装正品

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Everspin Technologies Inc. Everspin科技

中文资料: 204条

Everspin Technologies, Inc. engages in the provision of magnetoresistive random access memory (MRAM) solutions. Its products include Toggle MRAM, Spin-transfer Torque MRAM, TMR Sensors, and Embedded MRAM. The company was founded by Saied Tehrani in June 2008 and is headquartered in Chandler, AZ.