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BSS129中文资料

厂家型号

BSS129

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4

功能描述

N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistors

数据手册

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生产厂商

ETC1

BSS129数据手册规格书PDF详情

[Siliconix]

Features

● High Breakdown Voltage: 260 V

● Normally “On” Low rDS Switch: 3.5 Ω

● Low Input and Output Leakage

● Low-Power Drive Requirement

● Low Input Capacitance

Benefits

● Full-Voltage Operation

● Low Offset Voltage

● Low Error Voltage

● Easily Driven Without Buffer

● High-Speed Switching

Applications

● Normally “On” Switching Circuits

● Current Sources/Limiters

● Power Supply, Converter Circuits

● Solid-State Relays

● Telecom Switches

更新时间:2026-2-21 10:20:00
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