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HY62256AP-I中文资料

厂家型号

HY62256AP-I

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795.97Kbytes

页面数量

14

功能描述

DRAM & SRAM MEMORY

32Kx8bit CMOS SRAM

数据手册

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简称

ETC

生产厂商

List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商官网

HY62256AP-I数据手册规格书PDF详情

[HYUNDAI]

32Kx8bit CMOS SRAM

Description

The HY62256A/HY62256A-I is a high-speed, low power and 32,786 x 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hyundais high performance CMOS process technology. The HY62256A/HY62256A-I has a data retention mode that guarantees data to remain valid at the minimum power supply voltage of 2.0 volt. Using the CMOS technology, supply voltages from 2.0 to 5.5 volt has little effect on supply current in the data retention mode. The HY62256A/HY62256A-I is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application.

Features

● Fully static operation and Tri-state outputs

● TTL compatible inputs and outputs

● Low power consumption

-2.0V(min.) data retention

● Standard pin configuration

-28 pin 600 mil PDIP

-28 pin 330 mil SOP

-28 pin 8x13.4 mm TSOP-1

(standard and reversed)

HY62256AP-I产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HY62256AP-I

  • 制造商

    HYNIX

  • 制造商全称

    Hynix Semiconductor

  • 功能描述

    32Kx8bit CMOS SRAM

更新时间:2025-11-22 17:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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