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AO3418中文资料

厂家型号	AO3418
文件大小	114.77Kbytes
页面数量	4页
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二
简称	ETC
生产厂商	List of Unclassifed Manufacturers
中文名称	未分类制造商官网
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AO3418数据手册规格书PDF详情

[AOSMD]

General Description

The AO3418 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), very low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO3418L ( Green Product ) is offered in a lead-free package.

Features

VDS (V) = 30V

ID = 3.8 A

RDS(ON) < 60mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 70mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON)

AO3418产品属性

类型
描述
型号
AO3418
功能描述
MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™ FET
型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds
1560pF @ 25V 功率 -
最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AO3418供应商...

更新时间：2025-6-22 10:02:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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