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M13S64164A-5BG中文资料

厂家型号

M13S64164A-5BG

文件大小

1506.5Kbytes

页面数量

49

功能描述

1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

数据手册

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简称

ESMT晶豪科技

生产厂商

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

中文名称

晶豪科技股份有限公司官网

M13S64164A-5BG数据手册规格书PDF详情

Features

• JEDEC Standard

• Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

• Bi-directional data strobe (DQS)

• On-chip DLL

• Differential clock inputs (CLK and CLK )

• DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

• Quad bank operation

• CAS Latency : 2, 2.5, 3

• Burst Type : Sequential and Interleave

• Burst Length : 2, 4, 8

• All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

• Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

• DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

• Data mask (DM) for write masking only

• For 2.5V parts, VDD = 2.3V ~ 2.7V, VDDQ = 2.3V ~ 2.7V

• Auto & Self refresh

• 64ms refresh period, 4K cycle

• SSTL-2 I/O interface

• 66pin TSOPII and 60 ball BGA package

M13S64164A-5BG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    M13S64164A-5BG

  • 制造商

    ESMT

  • 制造商全称

    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

  • 功能描述

    1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

更新时间:2025-10-29 8:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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