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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION This µPA1725 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of notebook computers and so on. FEATURES • 2.5-V gate drive and low on-resistance RDS(on)1 = 21.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.5 A) RDS(on)2 = 22.0 mΩ MAX. (VGS = 4.

NEC

瑞萨

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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BURR-BROWN

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BURR-BROWN

Isolated High Side FET Driver

文件:294.32 Kbytes Page:5 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2026-3-14 11:01:01
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