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ERG2SJ680E

金属(氧化物)覆膜固定电阻器

PANASONIC

松下

Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (?-MOS V)

Switching Applications Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 1.6 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= −100 μA (max) (VDS= −200 V) • Enhancement mode: Vth= −1.5 to −3

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝

Silicon P-Channel MOS Type Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

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东芝

Switching Applications

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东芝

ERG2SJ680E产品属性

  • 类型

    描述

  • 额定功率 (W):

    2

  • 片式尺寸(长 x 宽) (mm):

    无规定

  • 电阻值 (Ω):

    68

  • 电阻值容差 (%):

    5

  • 包装形状:

    Radial Taping (Ammo box)

  • 电阻温度系数 (×10⁻⁶/°C):

    ±350

更新时间:2026-5-24 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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