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EMD02N06E

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 3.1mΩ ID 191A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

EMD02N06E

Power MOSFETs-N Channel

EXCELLIANCE

杰力科技

MOSFET

Features - Simple drive requirement. - Small package outline. - ESD protected gate.

COMCHIP

典琦

0.2A, 60V SILICON N-CHANNEL MOSFET

文件:168.29 Kbytes Page:4 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-11-22 15:58:00
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