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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
EMBE0N10JS	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 500mΩ ID 0.9A UIS 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBE0N10JS	Power MOSFETs-N Channel	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA0N10A	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 100mΩ ID 16A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA0N10CS	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 100mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA0N10F	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 100mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA0N10G	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 100mΩ ID 5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA0N10S	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 100mΩ ID 6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

EMBE0N10JS产品属性

类型
描述
Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
0.9
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
500
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
570
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
7.6
CissTyp.(pF)：
328

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更新时间：2026-7-23 20:00:00

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