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EMB28C03G

N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 28mΩ 40mΩ ID 7A ‐6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB28C03G

Power MOSFETs-Complementary

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB28C03G产品属性

  • 类型

    描述

  • Channel:

    Complementary-N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    7

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    28

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    40

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    11.5

  • CissTyp.(pF):

    520

更新时间:2026-5-20 12:59:00
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