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EMB22C04G

N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 40V ‐40V RDSON (MAX.) 22mΩ 42mΩ ID 7.5A ‐6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

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EMB22C04G

Power MOSFETs-Complementary

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N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 40V ‐40V RDSON (MAX.) 22mΩ 42mΩ ID 7.5A ‐6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

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N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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EMB22C04G产品属性

  • 类型

    描述

  • Channel:

    Complementary-N

  • BVDSS(V):

    40

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    7.5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    22

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    40

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    14.5

  • CissTyp.(pF):

    536

更新时间:2026-5-20 13:01:00
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