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EMB21A03G

Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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EMB21A03G

Power MOSFETs-Dual

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Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 21mΩ ID 9A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

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Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 21mΩ ID 9A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ESD Protection

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Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 21mΩ ID 9A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ESD Protection

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EMB21A03G产品属性

  • 类型

    描述

  • Channel:

    Dual N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    7.5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    21

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    42

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    11.5

  • CissTyp.(pF):

    520

更新时间:2026-5-20 17:07:00
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