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Silicon N-Channel MOS Type Power Management Switch Applications

Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications • 1.5 V drive • Low ON-resistance: Ron = 140 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 93 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 63 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-5-24 17:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
17+
SOT323
880000
明嘉莱只做原装正品现货
TOSHIBA
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原装正品,支持实单
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
TOSHIBA(东芝)
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封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
TOSHIBA/东芝
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