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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
EGP10M

SUPER FAST RECTIFIER

Reverse Voltage: 50 to 1000 Volts Forward Current:1.0Ampere FEATURES • GPRC( Glass Passivated Rectifier Chip) inside • Glass passivated cavity-free junction • Low forward voltage drop,High current capability • High surge current capability • Super fast recovery time • Plastic package has Un

JINANJINGHENG

晶恒集团

EGP10M

SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER

FEATURES * GPRC (Glass Passivated Rectifier Chip) inside * Glass passivated cavity-free junction * Superfast recovery time for high efficiency * Low forward voltage , high current capability * Low leakage current * High surge current capability * High temperature soldering guaranteed: 260°C

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

EGP10M

SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere FEATURES * GPRC (Glass Passivated Rectifier Chip) inside * Glass passivated cavity-free junction * Superfast recovery time for high efficiency * Low forward voltage , high current capability * Low leakage current

ZOWIE

智威

EGP10M

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 1.0A FEATURES * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * High temperature metallurgically bonded construction * Cavity-free glass passivated junction * Capable of meeting environmental stan

LRC

乐山无线电

EGP10M

1.0 AMP. Glass Passivated High Efficient Plastic Rectifiers

Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 1.0 Ampere Features ◇ Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-0 ◇ Glass passivated cavity-free junction ◇ Superfast recovery time for high efficiency ◇ Low forward voltage, high current capability ◇ Low lea

TSC

台湾半导体

EGP10M

Glass Passivated High Efficient Plastic Rectifiers

FEATURES • Superectifier structure for high reliability condition • Cavity-free glass-passivated junction • Ultrafast reverse recovery time • Low forward voltage drop • Low leakage current • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Solder dip

TAYCHIPST

泰迪斯电子

EGP10M

1.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

Features ● Low Forward Voltage Drop ● High Current Capability ● High Reliability ● High Surge Current Capability ● Glass Passivated Die Construction

ZSELEC

淄博圣诺

EGP10M

1A 1000V Fast recovery diode

文件：261.604 Kbytes Page：2 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司

EGP10M

整流二极管

LRC

乐山无线电

EGP10M_15

Glass Passivated Junction

文件：304.9 Kbytes Page：3 Pages

LRC

乐山无线电

EGP10MH

SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER

文件：170.37 Kbytes Page：2 Pages

ZOWIE

智威

EGP10M产品属性

  • 类型

    描述

  • VPK (V)：

    1000

  • IO @ TL (A)：

    1

  • TL@�C：

    55

  • IFM(Surge) (A)：

    30

  • IR @TA=25°C (uA)：

    5

  • IFM @TA=25°C (A)：

    1

  • VFM @TA=25°C (V)：

    1.7

  • trr (ns)：

    75

  • Package：

    DO-41

EGP10M供应商更多...

更新时间：2026-5-23 17:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华斯顿科技有限公司
EGP10M
VISHAYMAS
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EGP10M
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EGP10M
VISHAY/威世
25+
DO-41
20000
原装
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