中压200V1A大死区半桥驱动芯片

EG3023 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 200V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 7V - 20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/- 0.6/1A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 200V\n• 低端 VCC 电源电压范围 7 - 20V\n• 适应 3V - 20V 输入电压\n• 内建死区时间 750nS\n• 带 VCC 欠压保护\n• 输出电流能力 IO+/- 0.6A/1A\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

中压200V1A大死区半桥驱动芯片

EG3023S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 200V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 4.5V - 20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/- 0.6/1A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 200V\n• 低端 VCC 电源电压范围 4.5 - 20V\n• 适应 3V - 20V 输入电压\n• 内建死区时间 750nS\n• 带 VCC 欠压保护\n• 输出电流能力 IO+/- 0.6A/1A\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

Optocoupler with Phototriac Output

Description The K3020P(G) series consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 6-lead plastic dual inline package. The elements are mounted on one leadframe using a coplanar technique, providing a fixed distance be tween input and output for

6-Pin DIP Random-Phase Optoisolators Triac Driver Output

文件：299.43 Kbytes Page：6 Pages

SDH/SONET STM4/OC12 transimpedance amplifier

文件：191.56 Kbytes Page：24 Pages

SDH/SONET STM4/OC12 transimpedance amplifier

文件：191.56 Kbytes Page：24 Pages

SDH/SONET STM4/OC12 transimpedance amplifier

文件：191.56 Kbytes Page：24 Pages