高压600V1.2A三相半桥驱动芯片

EG2334 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 4.5V - 20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+1.2A - 1.4A。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 集成三路独立半桥驱动\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 4.5V - 20V\n• 输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出\n• 封装形式：SOP20\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

Silicon NPN Transistor Darlington Driver w/Internal Damper and Zener Diode

Description: The NTE2334 is a silicon Darlington NPN Driver with an internal damper and zener diode in a TO220 type package designed for use in applications such as the switching of the L load of a motor driver, hammer driver, relay driver, etc. Features: • High DC Current Gain • Lar

LinCMOSE LOW-VOLTAGE MEDIUM-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

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