中压300V1A驱动芯片

EG2131 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 300V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 11V - 20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 300V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 欠压关断输出\n• 输出电流能力 IO+/- 1A/1.5A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

High power MOS diode driver chip

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中压220V1A驱动芯片

EG2131D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 11V - 20V，静态功耗大约 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 250K 下拉电阻，LIN 内建了上拉高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 220V\n• 带内部自举二极管\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 欠压关断输出\n• 输出电流能力 IO+/- 1A/1.5A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

TV VERTICAL OUTPUT CIRCUIT

TV VERTICAL OUTPUT CIRCUIT The KA2131 is a monolithic integrated circuit designed for the vertical output stage in color television receivers. FUNCTIONS • Driver stage. • Output stage. • Flyback generators. • Pulse shapers.

3 HIGH SIDE & 3 LOW SIDE DRIVER

3-HIGH SIDE & 3-LOW SIDE DRIVER The MPIC2131 is a high voltage, high speed, power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3–Phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are

3 HIGH SIDE & 3 LOW SIDE DRIVER

3-HIGH SIDE & 3-LOW SIDE DRIVER The MPIC2131 is a high voltage, high speed, power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3–Phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are

HIGH EFFICIENCY AMPS/ETACS AMPLIFIER

Product Description The RF2131 is a high-power, high-efficiency amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in AMPS and ETACS handheld equipment, spread spectrum s

HIGH EFFICIENCY AMPS/ETACS AMPLIFIER

Product Description The RF2131 is a high-power, high-efficiency amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in AMPS and ETACS handheld equipment, spread spectrum s