中压200V驱动芯片

EG2003 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 200V，低端 Vcc 电源电压范围为 10V - 20V。输入通道 HIN 内建 200K 下拉电阻，LIN 内建 200K 上拉电阻，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 200V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• VCC 和 VB 端电源带欠压保护\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 0.3A/0.6A\n• 内建死区控制电路\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

丝印代码：A3；Silicon MMIC amplifier

DESCRIPTION Silicon MMIC amplifier consisting of an NPN double polysilicon transistor with integrated biasing for low voltage applications in a plastic, 4-pin SOT343R package. FEATURES • Low current • Very high power gain • Low noise figure • Integrated temperature compensated biasing • Con

MICROWAVE POWER TRANSISTORS

The RF Line Microwave Power Transistors Designed primarily for large–signal output and driver amplifier stages in the 1.0 to 2.3 GHz frequency range. • Designed for Class B or C, Common Base Power Amplifiers • Specified 28 Volt, 2.0 GHz Characteristics: Output Power — 1.0 to 20 Watts P

High Current/Voltage Darlington Drivers

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High Current/Voltage Darlington Drivers

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