EFT307B晶体管资料
EFT307B别名：EFT307B三极管、EFT307B晶体管、EFT307B晶体三极管
EFT307B生产厂家：I.P.R.S.Baneasa公司
EFT307B制作材料：Ge-PNP
EFT307B性质：通用型 （Uni）
EFT307B封装形式：直插封装
EFT307B极限工作电压：12V
EFT307B最大电流允许值：0.1A
EFT307B最大工作频率：<1MHZ或未知
EFT307B引脚数：3
EFT307B最大耗散功率：0.15W
EFT307B放大倍数：
EFT307B图片代号：C-47
EFT307Bvtest：12
EFT307Bhtest：999900
- EFT307Batest：0.1
EFT307Bwtest：0.15
EFT307B代换 EFT307B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Amplifier Transistors(PNP) Amplifier Transistors PNP Silicon | MOTOROLA 摩托罗拉 |   | ||
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HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(3.0A,600-1000V)
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Operational Amplifiers 文件：194.55 Kbytes Page：10 Pages | NSC 国半 | |
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2020-12-18EG8010纯正弦波逆变器专用芯片
EG8010是一款数字化的、功能很完善的自带死区控制的纯正弦波逆变发生器芯片，应用于DC-DC-AC两级功率变换架构或DC-AC单级工频变压器升压变换架构，外接12MHz晶体振荡器，能实现高精度、失真和谐波都很小的纯正弦波50Hz或60Hz逆变器专用芯片。
2019-3-2
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