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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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EFC240B | Low Distortion GaAs Power FET Low Distortion GaAs Power FET • +31.0dBm TYPICAL OUTPUT POWER • 8.5dB TYPICAL POWER GAIN AT 12GHz • HIGH BVgd FOR 10V BIAS • 0.3 X 2400 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE • Si3N4 PASSIVATION • ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY, LINEARITY AND RELIABILITY • Idss SO | EXCELICS |   | |
EFC240B | Low Distortion GaAs Power FET 文件：36.02 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | |
EFC240B | 10-14V low distortion GaAs power FET | EXCELICS | | |
Low Distortion GaAs Power FET 文件：87.92 Kbytes Page：1 Pages | EXCELICS | | ||
AM/FM Transistor AM/FM Transistor NPN Silicon | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■ Features • Large power dissipation: PD = 1 W • Zener voltage VZ: 4.7 V to 51 V • Zener voltage allowable deviation: 10 • Auto mounting possible | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon planar type 文件：41.87 Kbytes Page：2 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon planar type 文件：41.48 Kbytes Page：2 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON 文件：129.9 Kbytes Page：6 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | |
EFC240B产品属性
- 类型
描述
- 型号
EFC240B
- 功能描述
Low Distortion GaAs Power FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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