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ECP0966

MOSFET

E-CMOS

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ECP0966产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • MOSFETTyEC:

    N

  • V DS(V):

    100

  • V GS(V):

    ±20

  • V th (V):

    1/2/3

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    January 14

  • GS =4.5V:

    17/22

  • Ciss(pF):

    1820

  • Coss (pF):

    170

  • Crss(pF):

    90

  • Qg (nC)=10V:

    32.5

  • Qgs(nC):

    6

  • Qgd (nC):

    11.1

  • Rg W:

    1.35

  • EAS mJ):

    11.3

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    60

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    38

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    113

  • ESDDiode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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