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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● High power and current handing capability ● Lead

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更新时间:2026-3-14 9:03:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
12+
TO-263
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
ST/意法
25+
8
10599
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BOSCH/博世
24+
QFP64
60000
BOSCH
23+
QFP64
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23+
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7000
MINNTRONIX
24+
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54000
郑重承诺只做原装进口现货

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