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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ECN2307

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

CXD2307

10-bit 50MSPS RGB 3-channel D/A Converter

Description The CXD2307R is a 10-bit high-speed D/A converter for video band, featuring RGB 3-channel I/O. This is ideal for use in high-definition TVs and high-resolution displays. Features • Resolution 10-bit • Maximum conversion speed 50MSPS • RGB 3-channel I/O • Differentia

SONYSony Corporation

索尼

CXD2307R

10-bit 50MSPS RGB 3-channel D/A Converter

Description The CXD2307R is a 10-bit high-speed D/A converter for video band, featuring RGB 3-channel I/O. This is ideal for use in high-definition TVs and high-resolution displays. Features • Resolution 10-bit • Maximum conversion speed 50MSPS • RGB 3-channel I/O • Differentia

SONYSony Corporation

索尼

NTE2307

Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp

Features: • High Voltage • High DC Current Gain • High Collector Power Dissipation Capability

NTE

RF2307

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Product Description The RF2307 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica

RFMD

威讯联合

RF2307PCBA

GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Product Description The RF2307 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica

RFMD

威讯联合

ECN2307产品属性

  • 类型

    描述

  • Configure：

    Single

  • MOSFET TyEC：

    P

  • V DS(V)：

    -20

  • V GS(V)：

    ±10

  • V th (V)：

    0.3/0.6/1

  • GS =4.5V：

    20/26

  • GS =2.5V：

    25/32

  • GS =1.8V：

    31/40

  • Ciss(pF)：

    1670

  • Coss (pF)：

    220

  • Crss(pF)：

    120

  • Qg (nC)=4.5V：

    19.5

  • Qgs (nC)：

    2

  • Qgd (nC)：

    3.6

  • I D(A) Tc=25 ℃：

    6.5

  • I D(A) Tc=100 ℃：

    4.1

  • EC(W)Tc=25 ℃：

    1.56

  • ESDDiode：

    X

  • Schokkty Diode：

    X

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    2012-12-6

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