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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
ECH6980-5

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

65V N-Channel MOSFETs

Features - 65V,180A, RDS(ON) =2.2mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications - Quick Charger

POTENS

博盛半导体

65V N-Channel MOSFETs

Features - 65V,180A, RDS(ON) =2.2mΩ@VGS = 10V - Improved dv/dt capability - Fast switching - 100% EAS Guaranteed - Green Device Available Applications - Networking - Load Switch - LED applications - Quick Charger

POTENS

博盛半导体

ECH6980-5产品属性

  • 类型

    描述

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET TyEC:

    N

  • V DS(V):

    65

  • V GS(V):

    20/-12

  • V th (V):

    1/1.5/2.5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    1.8/2.2

  • V GS =4.5V:

    2.9/3.7

  • Ciss(pF):

    9040

  • Coss (pF):

    2180

  • Crss(pF):

    318

  • Qg (nC)=10V:

    130

  • Qgs(nC):

    15.4

  • Qgd(nC):

    35

  • Rg W:

    2.16

  • EAS(mJ):

    500

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    180

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    113

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    278

  • ESDDiode:

    X

  • SchokktyDiode:

    X

更新时间:2026-7-23 20:28:00
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