ECG281晶体管资料
ECG281别名：ECG281三极管、ECG281晶体管、ECG281晶体三极管
ECG281生产厂家：荷兰飞利浦公司
ECG281制作材料：Si-PNP
ECG281性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
ECG281封装形式：直插封装
ECG281极限工作电压：140V
ECG281最大电流允许值：12A
ECG281最大工作频率：<1MHZ或未知
ECG281引脚数：2
ECG281最大耗散功率：100W
ECG281放大倍数：
ECG281图片代号：E-44
ECG281vtest：140
ECG281htest：999900
- ECG281atest：12
ECG281wtest：100
ECG281代换 ECG281用什么型号代替：NTE281,2SB555,2SB817,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Schottky Barrier Diodes FEATURES • Integrated protection ring against static discharge • Low capacitance • Low leakage current • Low forward voltage drop • Very low switching time • AEC-Q101 qualified • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | ||
PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim | POLYFET | | ||
1036- 횞 1010-pixel ccd image sensor 文件：238.9 Kbytes Page：18 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Low Dropout 1 Ampere Linear Regulator Family 文件：102.7 Kbytes Page：10 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
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公司只有原装 品质保证 |
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ECG281规格书下载地址
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