| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ECD6701 | MOSFET | E-CMOS 飞虹高科 |   | |
Temperature Sensor IC ■ Features • High sensitivity (100mV/˚C) • Excellent linearity (non linearity.±0.5) • Easy calibration with an external resistor • High precision (±1˚C) with calibration | PANASONIC 松下 | | ||
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DC/DC Converter Applications Features • Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. • The CPH6701 is formed with two chips, one being equivalent to the CPH3106 and the other the SBS001, encapsulated in one package. • Ultrasmall package facil | SANYO 三洋 | | ||
13 AMP PROGRAMMABLE INTEGRATED SWITCHING REGULATOR 文件：118.4 Kbytes Page：3 Pages | TI 德州仪器 | | ||
High Speed Optocoupler, 5 MBd, 1 kV/us dV/dt 文件：408.07 Kbytes Page：16 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
ECD6701产品属性
- 类型
描述
- Configuration：
DualCommon Drain
- MOSFET TyEC：
N+P
- V DS(V)：
60
- V GS(V)：
±20
- V th (V)：
1.2/1.6/2.5
- R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
25/30
- V GS =4.5V：
28/36
- Ciss(pF)：
1180
- Coss (pF)：
68
- Crss(pF)：
45
- Qg (nC)=10V：
16.6
- Qgs(nC)：
2.2
- Qgd(nC)：
3.9
- Rg W：
2.1
- EAS(mJ)：
26.4
- I D(A) Tc=25 ℃：
19
- I D(A) Tc=100 ℃：
12
- EC(W)Tc=25 ℃：
20.1
- ESDDiode：
X
- SchokktyDiode：
X
ECD6701规格书下载地址
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