| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ECC2305Z | MOSFET | E-CMOS 飞虹高科 |   | |
Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16 | NTE | | ||
丝印代码：A5***；P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：228.09 Kbytes Page：14 Pages | NSC 国半 | | ||
PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：228.09 Kbytes Page：14 Pages | NSC 国半 | | ||
PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：228.09 Kbytes Page：14 Pages | NSC 国半 | |
ECC2305Z产品属性
- 类型
描述
- Configure：
Single
- MOSFET TyEC：
P
- V DS(V)：
-20
- V GS(V)：
±10
- V th (V)：
0.3/0.6/1.0
- GS =4.5V：
June 21
- GS =2.5V：
15/20
- GS =1.8V：
20/26
- Ciss(pF)：
2320
- Coss (pF)：
280
- Crss(pF)：
175
- Qg (nC)=4.5V：
27
- Qgs (nC)：
2.4
- Qgd (nC)：
5.3
- I D(A) Tc=25 ℃：
26
- I D(A) Tc=100 ℃：
15
- EC(W)Tc=25 ℃：
44
- ESDDiode：
X
- Schokkty Diode：
X
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Sullins |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
23+ |
2092 |
||||||
SULLINS |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
E-CMOS |
24+ |
PPAK3X3 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
Microchip/微芯 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
Sullins |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
COOLER MASTER |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SULLINS |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
SullinsConnectorSolution |
24+ |
14 |
|||||
Microchip Technology |
24+25+ |
16500 |
全新原厂原装现货!受权代理!可送样可提供技术支持! |
ECC2305Z规格书下载地址
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- ECC25DRXI-S734
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