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EC4H09C

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V). • Low operating voltage. • High gain : ⏐S21e⏐2=16.5dB typ (f=2GHz). • Halogen free compliance (UL94 HB).

SANYO

三洋

EC4H09C

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

ONSEMI

安森美半导体

RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:4-UFDFN 包装:托盘 描述:RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

ONSEMI

安森美半导体

EC4H09C产品属性

  • 类型

    描述

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.5V

  • 频率 - 跃迁:

    26GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.3dB @ 2GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    120mW

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    4-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    4-ECSP1008

更新时间:2026-5-22 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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