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Single N-Channel Field Effect Transistor

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

文件:84.18 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-27 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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NA/
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