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EC3H02BA

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

Features • Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). • High gain : ⏐S21e⏐2=12dB typ (f=1GHz). • High cutoff frequency : fT=7GHz typ. • Ultrasmall (1006size), slim (0.5mm) leadless package. • Halogen free compliance (UL94 HB).

SANYO

三洋

EC3H02BA

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

文件:87.3 Kbytes Page:5 Pages

SANYO

三洋

EC3H02BA

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

ONSEMI

安森美半导体

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

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SANYO

三洋

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:3-XFDFN 包装:托盘 描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

ONSEMI

安森美半导体

VHF to UHF Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications

Features • Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). • High gain : S21e2=12dB typ (f=1GHz). • High cutoff frequency : fT=7GHz typ. • Ultrasmall (1006size), slim (0.5mm) leadless package.

SANYO

三洋

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications

Features • Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). • High gain :|S21e}2=12dB typ (f=1GHz). • High cutoff frequency : fT=7GHz typ. • Ultraminiature (1008 size) and thin (0.6mm) leadless package .

SANYO

三洋

EC3H02BA产品属性

  • 类型

    描述

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    8.5dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    120 @ 20mA,5V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    3-ECSP1006

更新时间:2026-7-23 12:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ECH
1813+
QFN
5000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
22+
TO-220-3
50000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
易冲
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
三年内
1983
只做原装正品
NIHON
20+
SMA
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
AIC/沛亨
23+
SOT-23-5
6000
专注配单,只做原装进口现货
EC
25+
QFN
39353
本公司 只做全新原装正品
24+
1386
CARLO GAVAZZI
2026+
N/A
6058
芯为深圳仓现货
onsemi
25+
ECSP1006-3
11580
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

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