| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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EC3A04B | N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：50.27 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 |   | |
EC3A04B | Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：88.22 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 | | |
EC3A04B | N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier,Impedance Converter Applications 文件：52.4 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 | | |
EC3A04B | Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier,Impedance Converter Applications 文件：52.4 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 | | ||
Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications 文件：88.22 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 | | ||
JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：3-XFDFN 包装：散装 描述：JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 分立半导体产品 晶体管 - JFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.02 ; ID=18.4A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management appl | ZETEX | | ||
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK SUMMARY V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.02 ; ID=18.4A DESCRIPTION This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage power management appl | ZETEX | | ||
General Purpose Snap-acting Switches 文件：373.2 Kbytes Page：6 Pages | ITT | | ||
General Purpose Snap-acting Switches 文件：373.2 Kbytes Page：6 Pages | ITT | | ||
General Purpose Snap-acting Switches 文件：373.2 Kbytes Page：6 Pages | ITT | |
EC3A04B产品属性
- 类型
描述
- 漏源电压（Vdss）：
30V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：
1.2mA @ 10V
- 漏极电流（Id） - 最大值：
10mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：
180mV @ 1µA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：
200 Ohms
- 功率 - 最大值：
100mW
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
3-ECSP1006
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
ECSP1006-3 |
22360 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
onsemi |
25+ |
ECSP1006-3 |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
EC3A04B规格书下载地址
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