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TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

ISOTOP TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced high voltage TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain–to–source diode with fast recovery time

Motorola

摩托罗拉

更新时间:2025-12-28 18:37:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
ON
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SOT227
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CYSTECH
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