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TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

ISOTOP TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced high voltage TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain–to–source diode with fast recovery time

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-7-23 10:20:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
1000
ON
22+
SOT227
3000
原装正品,支持实单
26+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
HAMOS/汉姆
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
24+
MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
CYSTECH/全宇昕
23+
TO-263
15238
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
CYSTECH/全宇昕
23+
DFN56
360000
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
ON
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
东芝
100
原装现货,价格优惠
MOTOROLA
26+
模块
6980
原装现货,可开13%税票

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