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TMOS POWER FET 53 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

ISOTOP TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced high voltage TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain–to–source diode with fast recovery time

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-5-22 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
23+
螺丝型模块
20000
全新原装假一赔十
CYSTECH/全宇昕
2511
DFN56
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
ON
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
CYSTECH/全宇昕
23+
TO-263
15238
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ON
22+
SOT227
3000
原装正品,支持实单
24+
MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
24+
1000
MOTOROLA
24+
模块
6980
原装现货,可开13%税票
HAMOS/汉姆
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
26+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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