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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON)

APME

永源微电子

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON)

APME

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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON)

APME

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60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON)

APME

永源微电子

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE ■ HIGH CURRENT POWER MODULE ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY (SEE STH80N06 FOR RATING) ■ VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER CAPABILITY ■ EASY TO MOUNT ■ SAME CURRENT CAPABILITY FOR THE TWO SOURCE TERMINALS ■ EXTREMELY LOW Rth JU

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-5-23 19:23:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CHIPOWN
18+
SOT23-6
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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公司只做原装 品质保证
CHIPOWN/芯朋微
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SOT23-6L
38500
原厂渠道优势支持实单
chipown(芯朋微电子)
25+
SOT-23-6L
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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