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E2400EC45E

High Power Sonic FRD

文件:447.91 Kbytes Page:9 Pages

IXYS

艾赛斯

E2400EC45E

封装/外壳:DO-200AE 包装:卷带(TR) 描述:FAST DIODE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

IXYS

艾赛斯

E2400EC45E

HP Sonic FRD

LITTELFUSE

力特

E2400EC45E产品属性

  • 类型

    描述

  • Package Type:

    W111

  • Maximum Repetitive Blocking Voltage [Diode] (V):

    4500

  • Average Continuous Current Rating @ TK = 55 ℃ [Diode] (A):

    2490

  • Maximum Surge Current - 10ms Half Sine Wave [Diode] (A):

    32100

  • I2t [Diode] (A2s):

    5.15 x 10⁶

  • Max Reverse Recovery Current:

    2130

  • Typical Reverse Recovery Time (µs):

    1.22

  • Reverse Recovery Charge (µC):

    3900

  • Threshold Voltage (V):

    2.114

  • Slope Resistance (mOhm):

    0.646

  • Thermal resistance [junction-heat sink] 180° Sine Wave (K/W):

    0.0056

  • Sample Request:

    No

更新时间:2026-7-23 11:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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