| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM20N10E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 |   | ||
Fast Switching 文件：67.84 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：773.53 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.33991 Mbytes Page：5 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
20 Amps, 95Volts N-CHANNEL Power MOSFET 文件：472.48 Kbytes Page：6 Pages | CHONGQING 平伟实业 | |
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E220-400M22S 是亿佰特（EBYTE）推出的一款工作于400MHz 频段的 LoRa 无线通信模块，基于 Semtech LoRa 技术设计，聚焦远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于工业物联网、智能农业、智慧城市等场景。
E220-400M22S 亿佰特（EBYTE）
2025-11-4E22-400T30S 是由亿佰特（EBYTE）推出的一款基于LoRa 扩频技术的无线通信模块，工作于400MHz 频段，主打远距离传输、低功耗、强抗干扰特性，适用于物联网（IoT）、远程数据采集、工业控制等场景。
E22-400T30S 是亿佰特（EBYTE） 800000PCS
2025-11-4E101SD1CBE
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E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E07040K0A全新原装现货
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2019-9-24E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述 该Edge211是一个双三元司机在制造 电压CMOS全过程。它是专为自动 测试设备和仪器在成本，功能 密度和电源都处于溢价。 每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一 终止电压或特殊的编程电压。 该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏， 低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。 特点 •100 MHz运行 •12V的
2013-3-5
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