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N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

n TYPICAL RDS(on) = 0.022Ω n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY n 100 AVALANCHE TESTED n GATE CHARGE MINIMIZED n ± 20V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING n LOW INTRINSIC CAPACITANCE n FAST BODY-DRAIN DIODE:LOW trr, Qrr DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelec

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 200V - 0.022廓 - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-27 10:51:01
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