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N-CHANNEL 200V - 0.022W - 110A ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

n TYPICAL RDS(on) = 0.022Ω n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY n 100 AVALANCHE TESTED n GATE CHARGE MINIMIZED n ± 20V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING n LOW INTRINSIC CAPACITANCE n FAST BODY-DRAIN DIODE:LOW trr, Qrr DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelec

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 200V - 0.022廓 - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY??Power MOSFET

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意法半导体

更新时间:2026-3-12 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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