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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.015 Ω ■ HIGH CURRENT POWER MODULE ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER CAPABILITY ■ EASY TO MOUNT ■ SAME CURRENT CAPABILITY FOR THE TWO SOURCE TERMINALS ■ EXTREMELY LOW Rth (Junction to case) ■ VERY LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE ■ ISOLA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-3-14 12:00:01
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