| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI VHB1-12T is Designed for Class C, 12.5 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Class C Operation • PG = 10 dB at 1.0 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System | ASI |   | ||
Cute series 文件：275.29 Kbytes Page：4 Pages | CREE 科锐 | | ||
~25째 medium beam with 1.5 mm high location pins. 文件：1.80632 Mbytes Page：4 Pages | LEDIL | | ||
PULSE TRANSFORMERS FOR DATA NETWORKING 文件：88.02 Kbytes Page：1 Pages | DATATRONICS | | ||
Nylon-Insulated Ring Terminals 文件：235.36 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MQFP240 |
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2025-11-4E101SD1CBE
E101SD1CBE
2021-11-16E104-035R
E104-035R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-26E07040K0A全新原装现货
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2019-9-24E211ATF-缓冲器/驱动器...
描述 该Edge211是一个双三元司机在制造 电压CMOS全过程。它是专为自动 测试设备和仪器在成本，功能 密度和电源都处于溢价。 每个tristatable驱动程序是能够产生3个级别- 一为逻辑高，为逻辑低之一，对于任何一 终止电压或特殊的编程电压。 该Edge211的目的是提供一个极低的泄漏， 低成本，低功耗，小封装，驱动解决方案 100兆赫及以下针电子应用。 特点 •100 MHz运行 •12V的
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