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Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier

Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16

NTE

丝印代码:A5***;P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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国半

PLLatinumTM 550 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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更新时间:2026-3-18 16:23:01
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