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DTDG23YP晶体管资料

  • DTDG23YP别名：DTDG23YP三极管、DTDG23YP晶体管、DTDG23YP晶体三极管

  • DTDG23YP生产厂家：

  • DTDG23YP制作材料：Si-N+R

  • DTDG23YP性质：表面帖装型 （SMD）

  • DTDG23YP封装形式：贴片封装

  • DTDG23YP极限工作电压：60V

  • DTDG23YP最大电流允许值：1A

  • DTDG23YP最大工作频率：<1MHZ或未知

  • DTDG23YP引脚数：3

  • DTDG23YP最大耗散功率：

  • DTDG23YP放大倍数：

  • DTDG23YP图片代号：H-100

  • DTDG23YPvtest：60

  • DTDG23YPhtest：999900

  • DTDG23YPatest：1

  • DTDG23YPwtest：0

  • DTDG23YP代换 DTDG23YP用什么型号代替：

DTDG23YP价格

参考价格：￥1.2169

型号：DTDG23YPT100 品牌：Rohm 备注：这里有DTDG23YP多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DTDG23YP批发/采购报价，DTDG23YP行情走势销售排行榜，DTDG23YP报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DTDG23YP

丝印代码：E02；1A/60V Digital Transistor

DTB114TK Digital transistor (built0in resistor) DTDG23YP Digital transistor (built in resistors and zener diode), driver (60V, 1A)

ROHM

罗姆

DTDG23YP

Digital transistor(with built-in resistors + zener diode)

罗姆开发了数字晶体管的标准产品。 •标准的数字晶体管;

ROHM

罗姆

DTDG23YP

丝印代码：E02；1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode)

文件：75.8 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

DTDG23YP

Digital Transistors

文件：177.65 Kbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

DTDG23YPFRA

60V/1A 数字晶体管（电阻＆齐纳二极管内置型晶体管）

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • High DC current gain. (Min.300 at Vo/Io=2V/500mA)\n• Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load. (an inductive load);

ROHM

罗姆

DTDG23YP_1

1A / 60V Digital transistor (with built-in resistors and zener diode)

文件：75.8 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

DTDG23YPFRA

丝印代码：E02；60V/1A Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode)

文件：886.47 Kbytes Page：7 Pages

ROHM

罗姆

DTDG23YPT100

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ROHM

罗姆

DTDG23YP产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装：

    MPT3

  • 包装数量：

    1000

  • 最小独立包装数量：

    1000

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    SOT-89

  • JEITA Package：

    SC-62

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    NPN

  • Supply voltage VCC 1[V]：

    60

  • Collector current Io (Ic) [A]：

    1

  • Input resistance R1 1 [kΩ]：

    2.2

  • Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：

    10

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    60

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    0.5

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • GI hFE：

    300 to

  • Output Current [A]：

    1

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    4.5x4 (t=1.5)

DTDG23YP供应商更多...

更新时间：2026-5-15 15:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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