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DTA123EET1	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1	BiasResistorTransistor BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1	封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1	BiasResistorTransistors 文件：108.32 Kbytes Page：13 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1G	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1G	封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1G	BiasResistorTransistors 文件：108.32 Kbytes Page：13 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1G	DigitalTransistors(BRT)R1=2.2k,R2=2.2k 文件：133.25 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1G	DigitalTransistors(BRT) 文件：176.35 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DTA123EET1G	PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork 文件：103.89 Kbytes Page：11 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

DTA123EET1产品属性

类型
描述
型号
DTA123EET1
功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
NPN/PNP
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
Min
200 mA
最大工作频率
集电极—发射极最大电压
VCEO
50 V
集电极连续电流
150 mA
功率耗散
200 mW
封装
Reel

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更新时间：2024-5-11 20:21:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳立科技有限公司	DTA123EET1G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市威雅利发展有限公司	DTA123EET1	ON	0236+	SOT423	200	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	DTA123EET1G	onsemi	23+	SC-75,SOT-416	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	DTA123EET1	ONSEMICONDUCTOR	21+		35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	DTA123EET1	ON/安森美	24+	NA	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	DTA123EET1G	ON	1830+	SC75	3000	1830+	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	DTA123EET1	ON	21+	SOT423	200	原装现货假一赔十	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	DTA123EET1	ON	2320+	SOT-523	562000	16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳廊盛科技有限公司	DTA123EET1	ON/安森美	2022	SOT-523	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市科翼源电子有限公司	DTA123EET1	ON	23+	SOT423	2700	原厂原装正品	询价

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2023-2-1
DTA113ZKAT146
DTA113ZKAT146ROHM30001628+SOT-23原盘原标优势现货
2021-9-17
DT74FCT162244ATPF-缓冲器/驱动器
描述：该FCT162244T16位缓冲器/线路驱动器，是用于总线接口或信号缓冲适用于需要高速和低功耗。这些通过引脚器件有一个组织流程，简化和收缩包装电路板布局。所有输入的设计与改进的噪声容限的滞后。三态控制允许独立的4位，8位或联合16位运作。这些部分在哪里更换插头54/74ABT16244更高的速度，更低的噪音和低功耗水平的需要。该FCT162244T有平衡输出电流水平和电流限制电阻。这些具有低接地反弹，最小冲和控制输出下降时间，从而降低了外部串联电阻器的需要而终止还提供了对小于200pF负载非常高的速度运行。特点：•
2013-3-5

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