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DTA115TE晶体管资料

  • DTA115TE别名：DTA115TE三极管、DTA115TE晶体管、DTA115TE晶体三极管

  • DTA115TE生产厂家：

  • DTA115TE制作材料：Si-P+R

  • DTA115TE性质：表面帖装型 （SMD）

  • DTA115TE封装形式：贴片封装

  • DTA115TE极限工作电压：50V

  • DTA115TE最大电流允许值：0.1A

  • DTA115TE最大工作频率：<1MHZ或未知

  • DTA115TE引脚数：3

  • DTA115TE最大耗散功率：0.3W

  • DTA115TE放大倍数：

  • DTA115TE图片代号：H-15

  • DTA115TEvtest：50

  • DTA115TEhtest：999900

  • DTA115TEatest：0.1

  • DTA115TEwtest：0.3

  • DTA115TE代换 DTA115TE用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DTA115TE

丝印代码：99；Digital transistors (built-in resistor)

Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors. 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input, and parasitic effects are almost c

ROHM

罗姆

DTA115TE

丝印代码：99；Digital transistors (built-in resistor)

Features 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = 100kΩ 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see inner circuit) . 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy. 4)

ROHM

罗姆

DTA115TE

PNP 双极数字晶体管 (BRT)

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

DTA115TE

BIAS RESISTOR TRANSISTORS

AITSEMI

创瑞科技

DTA115TE

数字晶体管

JSCJ

长晶科技

DTA115TE

丝印代码：99；-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)

文件：145.67 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

DTA115TE

Digital Transistors (BRT)

文件：177.32 Kbytes Page：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA115TE_09

-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)

文件：145.67 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

DTA115TET1G

封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ONSEMI

安森美半导体

DTA115TET1G

Digital Transistors (BRT)

文件：177.32 Kbytes Page：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA115TET1G

Digital Transistors

文件：143.74 Kbytes Page：11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

DTA115TETL

封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ROHM

罗姆

TIP115

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPEC

统懋

TIP115

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MOTOROLA

摩托罗拉

CLC115AI

Quad, Closed-Loop Monolithic Buffer

文件：350.02 Kbytes Page：6 Pages

NSC

国半

CLC115AJE

Quad, Closed-Loop Monolithic Buffer

文件：350.02 Kbytes Page：6 Pages

NSC

国半

CLC115AMC

Quad, Closed-Loop Monolithic Buffer

文件：350.02 Kbytes Page：6 Pages

NSC

国半

DTA115TE产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装：

    EMT3

  • 包装数量：

    3000

  • 最小独立包装数量：

    3000

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Package Code：

    SOT-416

  • JEITA Package：

    SC-75A

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    PNP

  • Supply voltage VCC 1[V]：

    -50

  • Collector current Io (Ic) [A]：

    -0.1

  • Input resistance R1 1 [kΩ]：

    100

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    -50

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    -0.1

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    0.15

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • GI hFE：

    100 to 600

  • Output Current [A]：

    -0.1

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

  • Package Size [mm]：

    1.6x1.6 (t=0.7)

DTA115TE供应商更多...

更新时间：2026-5-14 14:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
DTA115TETL
ROHM
24+
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    2013-3-5

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